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申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日：2024-02-20
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118048688A
主分类号：C30B29/36
分类号：C30B29/36;C30B23/02;C30B33/00;C23C14/34
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体公开了一种具有单晶碳化硅衬底的复合衬底，包括：S1、选择基底，S2、溅射沉积单晶碳化硅薄膜，S3、激光剥离，S4、沉积其他层，S5、加工和调制和S6、检测和测试；本发明使用激光剥离可以在碳化硅薄膜与基底之间形成一个清晰的界面，有助于确保复合衬底的不同层之间的结合质量和界面质量，溅射沉积能够产生高质量的薄膜，具有较好的结晶质量和均匀性，溅射沉积和激光剥离方法结合使用，提供了对薄膜厚度、质量和结构的更精确控制的可能性，从而满足特定应用的需求，在溅射沉积过程中，有助于维持碳化硅薄膜的单晶性，这对于某些应用，例如功率电子器件，非常重要。
主权项：1.一种具有单晶碳化硅衬底的复合衬底，其特征在于，所述复合衬底制备过程如下：S1、选择基底，选择基底材料，作为复合衬底的支撑结构；S2、溅射沉积单晶碳化硅薄膜，使用溅射沉积技术，通过磁控溅射设备或电子束溅射设备在基底材料上沉积单晶碳化硅薄膜，控制沉积参数，形成均匀、致密且高质量的碳化硅薄膜；S3、激光剥离，在形成的碳化硅薄膜上使用激光剥离技术，通过将激光照射到薄膜表面，产生高能量的激光脉冲，激光脉冲的热效应和机械效应导致薄膜与基底之间的分离，形成一个清晰的界面；S4、沉积其他层，在激光剥离后，使用溅射沉积在碳化硅薄膜界面上沉积其他层，得到复合结构的碳化硅薄膜；S5、加工和调制，对S4中复合结构的碳化硅薄膜进行后加工，以形成所需的器件结构，得到具体单晶碳化硅衬底的复合衬底；S6、检测和测试，对制备的复合衬底进行测试和表征，以确保其性能符合预期。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江芯科半导体有限公司 一种具有单晶碳化硅衬底的复合衬底
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