申请/专利权人:成都海威华芯科技有限公司
申请日:2024-02-21
公开(公告)日:2024-05-17
公开(公告)号:CN118053744A
主分类号:H01L21/28
分类号:H01L21/28;H01L29/40;H01L29/417
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要:本发明公开了一种形成致密形貌源场板金属制造方法及源场板,属于半导体技术领域,包括:在衬底表面沉积第一介质层;在第一介质层表面形成源场板的主体部临时图像;刻蚀第一介质层形成源场板主体部的永久图像;去除源场板的主体部临时图像层;在第一介质层上沉积第二介质层;在第二介质层上形成源场板的延伸部临时图像;进行金属沉积,去除源场板的延伸部临时图像层,得到源场板金属。通过沉积第二介质层能够优化第一介质层形貌,降低源场板主体部台阶源场板主体部侧壁的垂直度,并修复由于刻蚀对第一介质层造成的损伤,同时能够调控介质层的应力,优化电性性能。
主权项:1.一种形成致密形貌源场板金属制造方法,其特征在于:包括以下步骤:在衬底表面沉积第一介质层;在第一介质层表面形成源场板的主体部临时图像;刻蚀第一介质层形成源场板主体部的永久图像;去除源场板的主体部临时图像层;在第一介质层上沉积第二介质层;在第二介质层上形成源场板的延伸部临时图像;进行金属沉积,去除源场板的延伸部临时图像层,得到源场板金属。
全文数据:
权利要求:
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