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申请/专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日：2024-02-26
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118048614A
主分类号：C23C14/35
分类号：C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明涉及空间润滑技术领域，提供了一种空间超低摩擦W‑S‑C‑N润滑薄膜及其制备方法和应用。本发明先对基体进行离子轰击，然后采用WS2靶材和WC靶材，以氩气和氮气的混合气体为工作气体，通过磁控溅射法将N、C元素引入WS2基薄膜中，得到空间超低摩擦W‑S‑C‑N润滑薄膜。本发明制备的W‑S‑C‑N润滑薄膜具有非晶致密结构，真空摩擦学性能优异，在摩擦过程中会在摩擦对偶表面诱导形成具有良好结晶性、且002基面平行于对偶基体的有序WS2基转移膜，具有超低摩擦系数和低磨损率。实施例结果表明，本发明制备的W‑S‑C‑N润滑薄膜真空摩擦系数约为0.01，润滑寿命高于5.0×105r。
主权项：1.一种空间超低摩擦W-S-C-N润滑薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对基体进行离子轰击，得到预处理后的基体；采用WS2靶材和WC靶材，以Ar和N2的混合气体为工作气体，通过磁控溅射法对所述预处理后的基体进行沉积镀膜，得到所述空间超低摩擦W-S-C-N润滑薄膜；所述空间超低摩擦W-S-C-N润滑薄膜为N、C元素掺杂的WS2基润滑薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院兰州化学物理研究所 一种空间超低摩擦W-S-C-N润滑薄膜及其制备方法和应用
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