申请/专利权人：天二科技股份有限公司

申请日：2022-11-09

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN118053639A

主分类号：H01C17/02

分类号：H01C17/02;H01C17/242;H01C17/28;H01C17/30;H01C7/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要：一种厚膜电阻元件及其制作方法，包含绝缘材料构成的基板、分别形成于所述基板的正面与背面的多个正电极和多个背电极、形成于所述基板的正面且由铜和镍构成的电阻层、披覆于所述电阻层的保护层单元、两个分别形成于所述基板的端面且用以连接所述正电极与背电极的侧边导体，及包覆所述侧边导体、所述正电极及所述背电极的镀层单元。本发明通过以卑金属作为所述电阻层的构成材料，而可减低所述厚膜电阻元件的生产成本。此外，本发明还提供所述厚膜电阻元件的制作方法。

主权项：1.一种厚膜电阻元件的制作方法，其特征在于：包含：基板成型步骤，提供由绝缘材料构成，具有彼此相对的正面及背面的箔片，于所述箔片上形成彼此间隔成阵列排列的多条纵向沟槽，及多条位于任意两条相邻的纵向沟槽之间且彼此间隔的横向沟槽，而于所述箔片上形成多个由所述纵向沟槽与所述横向沟槽共同定义而成且成阵列排列的基板，其中，每一条纵向沟槽沿第一方向延伸，每一条横向沟槽沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸；电极形成步骤，以导电材料于每一个基板的背面形成多个分别位于相对的两个侧边的背电极，以及于所述正面形成多个位于所述背电极的投影范围的正电极，且所述背电极分别邻靠于与所述基板相邻的纵向沟槽；电阻形成步骤，以导电材料于所述基板的正面形成与所述正电极连接的电阻层，以取得第一半成品，其中，所述电阻层的组成材料包括铜及镍；惰性气体烧结步骤，将所述第一半成品置于含有惰性气体的烧结炉中进行烧结，以取得第二半成品；修阻步骤，以激光方式移除所述第二半成品的电阻层的部分结构；保护层形成步骤，于所述修阻步骤后，以绝缘材料形成覆盖于经电阻修值过的所述电阻层上的保护层单元，以取得第三半成品；第一分割步骤，沿着所述纵向沟槽进行切割，得到多个第四半成品，每一个第四半成品具有多个沿所述第一方向排列的基板，且每一个基板具有连接所述基板的正面及背面并对外裸露的端面；侧边导体成型步骤，以导电材料于任一个第四半成品的所述基板露出的端面分别形成用以连接所述正电极与所述背电极的侧边导体，以取得第五半成品；第二分割步骤，将所述第五半成品沿所述横向沟槽进行切割，得到多个各自独立的电阻半成品；及电镀步骤，以电镀方式于每一个电阻半成品形成包覆所述侧边导体、所述正电极及所述背电极的镀层单元，以取得多个厚膜电阻元件。

全文数据：

权利要求：

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