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申请/专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日：2022-11-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053735A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/205
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种基于LPCVD生长厚氮化硅膜的方法及厚氮化硅膜结构，包括步骤：提供一衬底；采用LPCVD法形成第一氮化硅层于衬底上；形成贯穿第一氮化硅层的第一划片槽以将第一氮化硅层划分为多个间隔设置的第一氮化硅块；采用LPCVD法形成第N氮化硅层，N大于1，第N氮化硅层覆盖第N‑1氮化硅层并填充进第一划片槽中；形成在垂直方向上对准第一划片槽并贯穿第N氮化硅层的第N划片槽以将第N氮化硅层划分为多个间隔设置的第N氮化硅块；厚氮化硅膜包括层叠的N层氮化硅块且厚度大于4000埃。本发明的制作方法将形成的氮化硅膜分割成独立区域，能够有效释放氮化硅膜的应力，避免氮化硅膜因厚度过大而产生裂纹，影响器件性能。
主权项：1.一种基于LPCVD生长厚氮化硅膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底；采用LPCVD法形成第一氮化硅层于所述衬底上；形成第一划片槽，所述第一划片槽贯穿所述第一氮化硅层以将所述第一氮化硅层划分为多个间隔设置的第一氮化硅块；采用LPCVD法形成第N氮化硅层，N为大于1的整数，所述第N氮化硅层覆盖第N-1氮化硅层的上表面并填充进所述第一划片槽中；形成第N划片槽，所述第N划片槽在垂直方向上对准所述第一划片槽并贯穿所述第N氮化硅层以将所述第N氮化硅层划分为多个间隔设置的第N氮化硅块；其中，所述厚氮化硅膜包括层叠的N层氮化硅块，所述厚氮化硅膜的厚度大于4000埃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新微技术研发中心有限公司 基于LPCVD生长厚氮化硅膜的方法及厚氮化硅膜结构
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