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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-10-07
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053885A
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146
优先权：["20221116 KR 10-2022-0154018","20230203 KR 10-2023-0014900"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：本公开涉及图像传感器和制造图像传感器的方法。一种图像传感器包括：衬底；垂直栅极，所述垂直栅极包括从所述衬底的顶部垂直延伸到所述衬底中的垂直延伸部和自所述垂直延伸部的顶部与所述衬底的顶表面平行地延伸的所述水平延伸部；光电二极管PD，所述PD在所述衬底内侧设置在所述垂直栅极之下；间隔物，所述间隔物设置在所述水平延伸部与所述衬底之间；以及栅极绝缘层。所述垂直延伸部的底表面和侧表面以及所述水平延伸部的底表面被所述栅极绝缘层覆盖，并且所述间隔物设置在所述衬底与所述水平延伸部的所述栅极绝缘层之间。
主权项：1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底；垂直栅极，所述垂直栅极包括垂直延伸部和水平延伸部，所述垂直延伸部从所述衬底的顶部垂直延伸到所述衬底中，所述水平延伸部自所述垂直延伸部的顶部与所述衬底的顶表面平行地延伸；PD，所述PD在所述衬底内部设置在所述垂直栅极之下，所述PD即光电二极管；间隔物，所述间隔物设置在所述水平延伸部与所述衬底之间；以及栅极绝缘层，其中，所述垂直延伸部的底表面和侧表面以及所述水平延伸部的底表面被所述栅极绝缘层覆盖，并且所述间隔物设置在所述衬底与所述栅极绝缘层的覆盖所述水平延伸部的部分之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 图像传感器和制造图像传感器的方法
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