申请/专利权人:格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日:2023-10-31
公开(公告)日:2024-05-17
公开(公告)号:CN118053872A
主分类号:H01L27/02
分类号:H01L27/02
优先权:["20221117 US 18/056289"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要:本公开提供一种具有掩埋掺杂区的结构及其形成方法。一种结构可以包括具有第一阱的半导体衬底。第一端子包括位于第一阱中的第一掺杂区。第二端子包括位于第一阱中的第二掺杂区。第一阱水平地将第一掺杂区与第二掺杂区分离。第一掩埋掺杂区位于第一阱中。第一掩埋掺杂区与第一掺杂区重叠且位于第一掺杂区下方。第一阱竖直地将第一掺杂区与第一掩埋掺杂区分离。
主权项:1.一种结构,包括:半导体衬底,其包括第一阱;第一端子,其包括位于所述第一阱中的第一掺杂区;第二端子,其包括位于所述第一阱中的第二掺杂区,其中,所述第一阱水平地将所述第一掺杂区与所述第二掺杂区分离;以及第一掩埋掺杂区,其位于所述第一阱中,所述第一掩埋掺杂区与所述第一掺杂区重叠且位于所述第一掺杂区下方,其中,所述第一阱竖直地将所述第一掺杂区与所述第一掩埋掺杂区分离。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有掩埋掺杂区的结构及其形成方法
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