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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-10-24
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053874A
主分类号：H01L27/088
分类号：H01L27/088;H01L29/10;H01L29/423;H10B12/00;H10B41/27;H10B41/41;H10B43/27;H10B43/40
优先权：["20221115 KR 10-2022-0152236"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：提供一种半导体装置。半导体装置包括：有源区域；第一源极漏极区域，其设置在有源区域上；第一接触件，其位于第一源极漏极区域上；第二源极漏极区域，其与第一源极漏极区域间隔开，并且设置在有源区域上；第二接触件，其位于第二源极漏极区域上；以及第一栅电极，其设置在有源区域上。第一栅电极包括围绕第一接触件的第一环部分，而第二接触件在第一环部分外部延伸。
主权项：1.一种半导体装置，包括：有源区域；第一源极漏极区域，其位于所述有源区域上；第一接触件，其电连接到所述第一源极漏极区域；第二源极漏极区域，其在所述有源区域上与所述第一源极漏极区域间隔开；第一栅电极，其位于所述有源区域上，所述第一栅电极包括围绕所述第一接触件的第一环部分；以及第二接触件，其相对于所述第一接触件在所述第一环部分外部延伸，并且电连接到所述第二源极漏极区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括其中具有环形段的栅电极的半导体装置
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