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申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日：2023-11-17
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053900A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L27/07;H01L23/544
优先权：["20221117 EP 22208134.1"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：公开了III族氮化物晶体管器件。在实施例中，一种III族氮化物晶体管器件，包括III族氮化物基半导体本体，所述III族氮化物基半导体本体包括被布置在III族氮化物沟道层上的III族氮化物势垒层，并且在其间形成能够支持二维电荷气的异质结。开关III族氮化物晶体管器件和电流感测III族氮化物晶体管器件被形成在III族氮化物基半导体本体中。电流感测III族氮化物基晶体管器件被通过二维电荷气的局部中断与开关III族氮化物晶体管器件电绝缘。
主权项：1.一种III族氮化物晶体管器件，包括：III族氮化物基半导体本体，包括被布置在III族氮化物沟道层上的III族氮化物势垒层，并且在其之间形成能够支持二维电荷气的异质结；开关III族氮化物晶体管器件和电流感测III族氮化物晶体管器件，其被形成在III族氮化物基半导体本体中；其中电流感测III族氮化物基晶体管器件被通过二维电荷气的局部中断与开关III族氮化物晶体管器件电绝缘。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 III族氮化物晶体管器件
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