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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日：2024-01-29
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053757A
主分类号：H01L21/335
分类号：H01L21/335;H01L29/778;H01L29/15;C30B25/18;C30B29/40
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了晶体管外延材料制备方法、场效应管、放大电路及放大器，该方法包括：将GaAs衬底放置于衬底托盘上；在GaAs衬底的上方生长GaAs缓冲层；在GaAs缓冲层上方以第一预设温度生长第一预设数量的超晶格；在生长完第一预设数量的超晶格之后，将第一预设温度降低至有源器件层的生长温度，并且在降温的同时，在第一预设数量的超晶格的上方生长第二预设数量的超晶格；其中，第一预设数量的超晶格和第二预设数量的超晶格共同组成超晶格层；在超晶格层的上方依次生长有源器件层和GaAs接触层。本申请能够保证晶体管外延材料的片内方阻的均匀性。
主权项：1.一种晶体管外延材料制备方法，其特征在于，包括：将GaAs衬底放置于衬底托盘上；在所述GaAs衬底的上方生长GaAs缓冲层；在所述GaAs缓冲层上方以第一预设温度生长第一预设数量的超晶格；在生长完所述第一预设数量的超晶格之后，将所述第一预设温度降低至有源器件层的生长温度，并且在降温的同时，在所述第一预设数量的超晶格的上方生长第二预设数量的超晶格；其中，所述第一预设数量的超晶格和所述第二预设数量的超晶格共同组成超晶格层；在所述超晶格层的上方依次生长所述有源器件层和GaAs接触层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 晶体管外延材料制备方法、场效应管、放大电路及放大器
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