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申请/专利权人：安泰天龙钨钼科技有限公司;安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司;安泰科技股份有限公司
申请日：2024-02-01
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118048546A
主分类号：C22C1/04
分类号：C22C1/04;B22F3/04;B22F3/15;B22F3/24;C23C14/34;C22C27/04;C22C30/00;C23C14/35
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供了一种钼合金溅射靶材及其制备方法，涉及平面显示装置的难熔金属靶材技术领域，先将各元素粉末分别预先混合，装包套后采用先冷等静压后热等静压的处理方法，通过晶粒球化退火得到晶粒细小、均匀且呈球状的钼合金溅射靶材，溅射速率快，溅射薄膜的厚度分布均匀，还可以消除直接热等静压造成的大长径比管靶外圆褶皱或倾斜、弯头等问题，提高了钼合金材料的收得率。
主权项：1.一种钼合金溅射靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将MoNi前合金粉末、MoTi前合金粉末、MoW前合金粉末以及WTa前合金粉末、MoRe前合金粉末和MoNb前合金粉末中的至少一种进行混合，获得混合合金粉体；S2：将所述混合合金粉体进行预处理，然后将预处理后的粉体装入包套内进行真空脱气处理；S3：将步骤S2真空脱气处理后的装有粉体的包套进行冷等静压处理，获得带有包套的冷压坯；S4：将所述带有包套的冷压坯进行热等静压处理，去除包套后获得热等静压坯；S5：将所述热等静压坯进行晶粒球化热处理；S6：将所述热处理后的坯料进行机加工获得钼合金溅射靶材。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安泰天龙钨钼科技有限公司;安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司;安泰科技股份有限公司 钼合金溅射靶材及其制备方法
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