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申请/专利权人：山东大学
申请日：2024-02-02
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118048677A
主分类号：C30B7/06
分类号：C30B7/06;C30B29/54;C30B29/12
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供了一种基于压强和温度组合控制的钙钛矿单晶生长系统及生长方法。所述钙钛矿单晶生长系统包括：晶体生长单元、压强控制单元以及温度控制单元。本发明所述钙钛矿单晶生长系统采用压强和温度控制单元组合控制的方法，使溶剂挥发获得过饱和度，以便钙钛矿单晶的生长，改善了晶体生长环境的稳定性，并有效提高了钙钛矿晶体的质量。此外，由于在生长体系中未曾入任何新物质，这也方便了溶剂直接通过冷凝的方式就能重新回收利用。
主权项：1.一种基于压强和温度组合控制的钙钛矿单晶生长系统，其特征在于，所述钙钛矿单晶生长系统包括：晶体生长单元、压强控制单元以及温度控制单元；所述晶体生长单元具有密闭的腔体结构，所述腔体结构的底部设置有冷热控制台，所述冷热控制台上方设置有晶体生长舱；所述压强控制单元包括进气单元和出气单元；所述进气单元包括保护性气体储存装置、第一气流控制装置以及第一气流控制阀门，且所述进气单元通过进气管道与所述密闭的腔体结构的进气口连接；所述出气单元包括抽气装置，且所述抽气装置通过出气管道与所述密闭的腔体结构的出气口连接；所述温度控制单元包括加热单元和降温单元；所述加热单元包括加热装置和温度控制装置，所述降温单元包括冷却装置和温度控制装置，所述加热单元的温度控制装置和降温单元的温度控制装置与冷热控制台连接，用于控制所述晶体生长舱的温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种基于压强和温度组合控制的钙钛矿单晶生长系统及生长方法
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