申请/专利权人:上海聚跃检测技术有限公司
申请日:2024-02-19
公开(公告)日:2024-05-17
公开(公告)号:CN118050308A
主分类号:G01N17/00
分类号:G01N17/00;H01L21/66;G01N1/32;G01N1/30
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要:本发明提供一种砷化镓芯片弹坑实验的试剂及方法,所述试剂为含有碘单质和碘盐的碱性溶液。所述方法包括将所述砷化镓芯片浸泡于本发明提供的砷化镓芯片弹坑实验的试剂中,取出后进行清洗和烘干。所述试剂和方法可以准确观察PAD下层的裂纹或穿孔,不会造成PAD金属下层破损,也不会造成芯片表面电路因腐蚀过重而出现断裂破损现象。
主权项:1.一种砷化镓芯片弹坑实验的试剂,其特征在于,所述试剂包括碘单质、碘化钾、乙酸和水,所述试剂的pH为9~10;所述试剂中碘单质的摩尔浓度为13~15%,碘盐的摩尔浓度为28~30%,酸的摩尔浓度为6~8%。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海聚跃检测技术有限公司 一种砷化镓芯片弹坑实验的试剂及方法
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