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申请/专利权人：深圳技术大学
申请日：2024-02-26
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053914A
主分类号：H01L29/786
分类号：H01L29/786;H01L21/336;H01L29/47
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供了一种肖特基薄膜晶体管及其制备方法，该肖特基薄膜晶体管包括衬底层、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源极层以及漏极层，所述栅极层位于所述衬底层之上，所述栅极绝缘层位于所述栅极层之上，所述有源层位于所述栅极绝缘层之上，所述源极层以及所述漏极层分别位于所述有源层之上，所述源极层以及漏极层均包括氧化银过渡层以及银电极层，所述氧化银过渡层位于所述有源层与所述银电极层之间，用于提高肖特基结的势垒特性。本发明所制备的薄膜晶体管具有关态电流小，电流开关比高，输出阻抗大等优点。连续沉积氧化银过渡层与银电极层，减少了器件的界面污染，在在氧化物半导体电子电路中有广阔的应用前景。
主权项：1.一种肖特基薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底层、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源极层以及漏极层，所述栅极层位于所述衬底层之上，所述栅极绝缘层位于所述栅极层之上，所述有源层位于所述栅极绝缘层之上，所述源极层以及所述漏极层分别位于所述有源层之上，所述源极层以及漏极层均包括氧化银过渡层以及银电极层，所述氧化银过渡层位于所述有源层与所述银电极层之间，用于提高肖特基结的势垒特性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳技术大学 肖特基薄膜晶体管及其制备方法
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