申请/专利权人:日月新半导体(苏州)有限公司
申请日:2024-02-27
公开(公告)日:2024-05-17
公开(公告)号:CN118053763A
主分类号:H01L21/48
分类号:H01L21/48;H01L23/552;B41M1/12;B41M1/40;B41M7/00
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要:本发明涉及电磁屏蔽技术领域,具体是一种集成电路封装工艺,具体包括如下步骤:通过3D印刷钢网,确定出金属屏蔽墙;将每个所述金属屏蔽墙通过金属薄膜生长联通。本发明通过3D印刷钢网印刷出一个高度较低的导电胶墙后,通过烘烤形成金属屏蔽墙,并通过激光开槽将金属屏蔽墙进行裸露,从而通过先印胶后开槽的方式,不仅可快速均匀印刷好导电胶,同时可不用全部开槽,有助于提高作业效率,同时导电胶高度低更便于作业及扩大胶种类,且开槽深度浅,有助于优化镭射开槽的作业性。
主权项:1.一种集成电路封装工艺,其特征在于,具体包括如下步骤:通过3D印刷钢网,确定出金属屏蔽墙5;将每个所述金属屏蔽墙5通过金属薄膜生长联通。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 日月新半导体(苏州)有限公司 集成电路封装工艺及封装体
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