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申请/专利权人：北京忆芯科技有限公司
申请日：2017-09-27
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118051268A
主分类号：G06F9/4401
分类号：G06F9/4401
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：公开了电子设备及其启动方法。电子设备不包括NOR闪存或EEPROM存储器。所公开的电子设备的启动方法，包括：响应于电子设备上电启动，向NAND闪存发出第一命令，通过第一命令使NAND闪存进入NV‑DDR2模式或者ToggleDDR模式；其中电子设备上电后，访问NAND闪存前，不访问其他任何存储芯片；根据NV‑DDR2模式的要求生成读命令，使用读命令从NAND闪存的物理块0读取指定长度的数据；对所读取的指定长度的数据进行错误校正译码，以得到构成引导加载器的部分的数据，其中指定长度的数据所采用的错误校正编码的码率为0.5‑0.8；运行引导加载器配置电子设备，并从NAND闪存加载电子设备的固件。
主权项：1.一种从NAND闪存引导电子设备的方法，电子设备包括NAND闪存以及控制部件，其中，控制部件耦合至少一片NAND芯片，所述电子设备不包括NOR闪存或EEPROM存储器，其特征在于，包括：响应于所述电子设备上电启动，向与控制部件所耦合的NAND闪存发出第一命令，通过第一命令使所述NAND闪存进入NV-DDR2模式或者ToggleDDR模式；其中所述电子设备上电后，访问所述NAND闪存前，不访问其他任何存储芯片；根据NV-DDR2模式的要求生成读命令，使用所述读命令从所述NAND闪存的物理块0读取指定长度的数据；对所读取的指定长度的数据进行错误校正译码，以得到构成引导加载器的部分的数据，其中所述指定长度的数据所采用的错误校正编码的码率为0.5-0.8；运行所述引导加载器配置所述电子设备，并从所述NAND闪存加载所述电子设备的固件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京忆芯科技有限公司 电子设备及其启动方法
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