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申请/专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日：2024-03-14
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053909A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明公开了一种沟槽型功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，沟槽型功率器件包括：衬底；半导体外延层，位于衬底的一侧；半导体外延层包括由下至上的第一导电类型轻掺杂区、第二导电类型掺杂区和第一导电类型重掺杂区；第一沟槽，自半导体外延层远离衬底一侧的表面穿设于半导体外延层，其中沿远离衬底的方向依次设置有第二导电类型的填充材料和沟槽栅结构，沟槽栅结构由半导体外延层远离衬底一侧的表面延伸至第一导电类型轻掺杂区；第二沟槽，位于所述沟槽栅结构的相对两侧，其中设置有第二导电类型的填充材料。本发明提供的技术方案，改善了栅极氧化层击穿的问题，保证了器件工作的可靠性。
主权项：1.一种沟槽型功率器件，其特征在于，包括：衬底；半导体外延层，位于所述衬底的一侧；沿着所述半导体外延层远离所述衬底的方向，所述半导体外延层依次包括第一导电类型轻掺杂区、第二导电类型掺杂区和第一导电类型重掺杂区；第一沟槽，自所述半导体外延层远离所述衬底一侧的表面穿设于所述半导体外延层；所述第一沟槽内沿远离所述衬底的方向依次设置有第二导电类型的填充材料和沟槽栅结构，所述沟槽栅结构至少由所述半导体外延层远离所述衬底一侧的表面延伸至所述第一导电类型轻掺杂区；第二沟槽，位于所述沟槽栅结构的相对两侧，并与所述第一沟槽间隔设置；所述第二沟槽中设置有第二导电类型的填充材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽长飞先进半导体有限公司 沟槽型功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆
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