申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2024-03-21

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN118053812A

主分类号：H01L21/8238

分类号：H01L21/8238;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要：本发明公开了一种双应力介质层的制造方法，包括：步骤一、提供形成有第一图形结构的半导体衬底。步骤二、形成第一应力介质层。步骤三、形成第一填充介质层并平坦化，第一填充介质层将间隔区完全填充。步骤四、进行图形化刻蚀将第二区域的第一填充介质层和第一应力介质层都去除。步骤五、形成第二应力介质层。步骤六、形成第二填充介质层，第二填充介质层将第二应力介质层在交界间隔区围成的第一沟槽和第二区域中的间隔区完全填充。步骤七、将第一表面之上的第一和第二填充介质层和第二应力介质层去除。步骤八、对第一侧面处的第二应力介质层进行从上到下的刻蚀。本发明能防止在边界区域处出现两种应力介质层的堆叠结构。

主权项：1.一种双应力介质层的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供形成有第一图形结构的半导体衬底，所述第一图形结构的顶部表面高于所述半导体衬底的顶部表面，所述第一图形结构之间具有间隔区；所述第一半导体衬底具有第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的交界位置处的所述间隔区为交界间隔区；步骤二、形成具有第一应力的第一应力介质层，所述第一应力介质层覆盖在各所述第一图形结构的顶部表面和侧面以及所述间隔区的所述半导体衬底表面；步骤三、形成第一填充介质层，所述第一填充介质层形成于所述第一应力介质层的表面且所述第一填充介质层将所述间隔区完全填充；所述第一填充介质层的顶部表面平坦；步骤四、进行图形化刻蚀将所述第二区域的所述第一填充介质层和所述第一应力介质层都去除，所述第一区域的所述第一填充介质层和所述第一应力介质层保留；在所述交界间隔区中，由保留的所述第一应力介质层的侧面和所述第一填充介质层的侧面叠加形成第一侧面；步骤五、形成具有第二应力的第二应力介质层，所述第二应力和所述第一应力不相等；所述第二应力介质层覆盖在保留的所述第一填充介质层的顶部表面、所述第一侧面以及覆盖在所述第二区域中的各所述第一图形结构的顶部表面和侧面以及所述间隔区的所述半导体衬底表面；在所述交界间隔区中，所述第一侧面和相邻的所述第一区域中的所述第一图形结构的侧面之间的所述第二应力介质层围成第一沟槽；步骤六、形成第二填充介质层，所述第二填充介质层形成于所述第二应力介质层的表面且所述第二填充介质层将所述第二区域中的所述第一沟槽和所述间隔区完全填充；步骤七、将第一表面之上的所述第一填充介质层、所述第二填充介质层和所述第二应力介质层去除；所述第一表面高于所述第一区域中的所述第一图形结构的顶部表面上的所述第一应力介质层的顶部表面以及所述第一表面高于所述第二区域中的所述第一图形结构的顶部表面上的所述第二应力介质层的顶部表面；步骤八、对所述第一侧面处的所述第二应力介质层进行从顶部到底部的刻蚀并形成第二沟槽；所述第二沟槽的底部表面高于所述第一沟槽的底部表面；在所述第一侧面处，所述第一应力介质层和所述第二应力介质层相接触形成无叠加结构的双应力介质层。

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