申请/专利权人:长春理工大学
申请日:2024-03-28
公开(公告)日:2024-05-17
公开(公告)号:CN118050953A
主分类号:G03F1/84
分类号:G03F1/84;G03F1/22
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要:本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种极紫外光刻掩模缺陷的补偿方法,包括:S1:利用掩模布图计算掩模坯料的缺陷的平移范围和影响范围;S2:在缺陷的影响范围内,将对掩模布图的布图图形分别进行等距收缩操作和等距扩张操作所获得的操作结果相加,获得缺陷的总隐蔽区域;S3:利用求解器对总隐蔽区域进行计算,实现对掩模坯料的缺陷补偿。本发明能够对掩模布图进行旋转平移双自由度的补偿,相对于现有的补偿方法,降低了对缺陷数量和缺陷大小的限制。
主权项:1.一种极紫外光刻掩模缺陷的补偿方法,其特征在于,具体包括如下步骤:S1:利用掩模布图计算所述掩模坯料的缺陷的平移范围和影响范围;S2:在所述缺陷的影响范围内,将对所述掩模布图的布图图形分别进行等距收缩操作和等距扩张操作所获得的操作结果相加,获得所述缺陷的总隐蔽区域;S3:利用求解器对所述总隐蔽区域进行计算,实现对所述掩模坯料的缺陷补偿。
全文数据:
权利要求:
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