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【发明公布】压力传感器构造和压力传感器装置_株式会社村田制作所_202280066663.6 

申请/专利权人:株式会社村田制作所

申请日:2022-10-04

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN118056117A

主分类号:G01L9/00

分类号:G01L9/00;H01L29/84

优先权:["20211005 JP 2021-164256"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要:压力传感器构造1包括:传感器主体,其包含作为感测电极发挥功能的隔膜板32、与隔膜板32相对的基极31以及维持隔膜板32和基极31之间的间隙的侧壁层20;以及导电性的基体基板10,其用于支承该传感器主体。侧壁层20包含保护电极层22和将保护电极层22电绝缘的上侧保护电极绝缘层21和下侧保护电极绝缘层23。隔膜板32的外侧表面和侧壁层22的外侧表面被电绝缘膜40包覆。在电绝缘膜40设有保护电极层22的局部与外部空气相连的接触区域CT。利用这样的结构,能够抑制外部干扰的影响,能够实施高精度的压力测定。

主权项:1.一种压力传感器构造,其检测电极间的静电电容的变化,其中,该压力传感器构造包括:传感器主体,其包含作为感测电极发挥功能的隔膜板、与该隔膜板相对的基极以及维持所述隔膜板和所述基极之间的间隙的侧壁层;以及导电性的基体基板,其用于支承该传感器主体,所述侧壁层包含保护电极层和将该保护电极层电绝缘的上侧保护电极绝缘层和下侧保护电极绝缘层,所述隔膜板的外侧表面和所述侧壁层的外侧表面被电绝缘膜包覆,在该电绝缘膜设有所述保护电极层的局部与外部空气相连的接触区域。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社村田制作所 压力传感器构造和压力传感器装置

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