申请/专利权人：新唐科技日本株式会社

申请日：2023-02-10

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN118056281A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336

优先权：["20220224 US 63/313,320"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要：半导体装置1是具有在第一方向上延伸的第一栅极沟槽17以及形成得比第一栅极沟槽17深的第二栅极沟槽27、形成在第一栅极沟槽17内部的第一栅极绝缘膜16及第一栅极导体15、和形成在第二栅极沟槽27内部的第二栅极绝缘膜26及第二栅极导体25的纵型场效应晶体管10，第一栅极导体15和第二栅极导体25是相同电位，设第一栅极沟槽17的条数为n时，第二栅极沟槽27的条数是2以上且n+1以下，在与低浓度杂质层33的上表面平行且与第一方向正交的第二方向上，设置第一栅极沟槽17和第二栅极沟槽27的区域的最端部被设置上述第二栅极沟槽27。

主权项：1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，是纵型场效应晶体管，具有：第1导电型的半导体衬底，含有上述第1导电型的杂质；上述第1导电型的低浓度杂质层，在上述半导体衬底上相接而形成，含有比上述半导体衬底的上述第1导电型的杂质浓度低的浓度的上述第1导电型的杂质；与上述第1导电型不同的第2导电型的体区域，形成在上述低浓度杂质层；上述第1导电型的源极区域，形成在上述体区域；源极电极，与上述体区域及上述源极区域电连接；第一栅极沟槽，从上述低浓度杂质层的上表面将上述体区域贯通而形成为到上述低浓度杂质层的一部分为止的深度，具有与上述源极区域接触的部分，在与上述低浓度杂质层的上表面平行的第一方向上延伸；第二栅极沟槽，从上述低浓度杂质层的上表面将上述体区域贯通且形成得比上述第一栅极沟槽深，具有与上述源极区域接触的部分，在上述第一方向上延伸；第一栅极绝缘膜，形成在上述第一栅极沟槽的内部；第一栅极导体，形成在上述第一栅极绝缘膜上；第二栅极绝缘膜，形成在上述第二栅极沟槽的内部；以及第二栅极导体，形成在上述第二栅极绝缘膜上，上述第一栅极导体和上述第二栅极导体是相同电位，当设上述第一栅极沟槽的条数为n时，上述第二栅极沟槽的条数是2以上且n+1以下，n是1以上的整数，在与上述低浓度杂质层的上表面平行且与上述第一方向正交的第二方向上，设置上述第一栅极沟槽和上述第二栅极沟槽的区域的最端部被设置上述第二栅极沟槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新唐科技日本株式会社 半导体装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD