龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日：2023-01-16
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118056282A
主分类号：H01L29/786
分类号：H01L29/786;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/203;H01L21/336
优先权：["20220131 JP 2022-013647"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：本发明涉及场效应晶体管，其包括：具有250℃以下的玻璃化转变温度的基材；和在该基材上设置的氧化物半导体层。上述氧化物半导体层由包含铟In元素、锌Zn元素和添加元素X的氧化物来形成。添加元素X为选自钽即Ta元素、锶Sr元素和铌Nb元素中的至少一种的元素。各元素的原子比满足式1至3的全部。0.4≤In+XIn+Zn+X≤0.81；0.2≤ZnIn+Zn+X≤0.62；0.001≤XIn+Zn+X≤0.0153。
主权项：1.一种场效应晶体管，其包括：具有250℃以下的玻璃化转变温度的基材；和在该基材上设置的氧化物半导体层，其中，所述氧化物半导体层由包含铟即In元素、锌即Zn元素和添加元素X的氧化物来形成，添加元素X为选自钽即Ta元素、锶即Sr元素和铌即Nb元素中的至少一种的元素，各元素的原子比满足式1至3的全部，式中的X设定为所述添加元素的含有比的总和，0.4≤In+XIn+Zn+X≤0.810.2≤ZnIn+Zn+X≤0.620.001≤XIn+Zn+X≤0.0153。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三井金属矿业株式会社 场效应晶体管及其制造方法以及场效应晶体管制造用溅射靶材
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号