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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2022-11-10
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118055614A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构性能差的技术问题。该半导体结构的制作方法包括：在衬底上形成第一掩膜层，第一掩膜层包括多个图形单元，相邻图形单元间具有第一间隙或第二间隙，沿第一方向第一间隙的尺寸小于第二间隙的尺寸；形成保护层，保护层覆盖暴露在第二间隙内的图形单元的侧壁且填满第一间隙；去除覆盖在第二间隙内的保护层，并保留第一间隙内的保护层；将与第二间隙接触的图形单元的侧壁减薄，第一掩膜层转换为第二掩膜层；去除保护层，以第二掩膜层为掩膜刻蚀衬底，形成有源区。图形单元的部分侧壁减薄，以弥补刻蚀衬底时的负载效应，使有源区的均匀性较好，提高半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括阵列排布多个分立的图形单元，相邻所述图形单元之间具有第一间隙或第二间隙，所述第一间隙在第一方向上的尺寸小于所述第二间隙在所述第一方向上的尺寸，其中，所述第一方向与所述衬底的表面平行；在所述衬底上形成保护层，所述保护层覆盖暴露在所述第二间隙内的所述图形单元的侧壁，且填满所述第一间隙；执行第一刻蚀，去除覆盖在与所述第二间隙接触的所述图形单元的侧壁上的所述保护层，暴露与所述第二间隙接触的所述图形单元的侧壁，并保留覆盖在与所述第一间隙接触的所述图形单元的侧壁上的所述保护层；执行第二刻蚀，使与所述第二间隙接触的所述图形单元的侧壁减薄，以使所述第一掩膜层转变为第二掩膜层；去除所述保护层，以所述第二掩膜层为掩膜，对所述衬底执行第三刻蚀，以在所述衬底中形成多个分立的有源区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制作方法
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