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申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日：2022-11-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118051203A
主分类号：G06F7/523
分类号：G06F7/523;G06F17/15
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种二进制乘法运算电路、二进制乘加运算电路、存内卷积运算电路及MRAM存储器。二进制乘法运算电路包括：第一MRAM位元和第二MRAM位元，第一MRAM位元包括第一MTJ和第一NMOS，第二MRAM位元包括第二MTJ和第二NMOS，其中，第一MTJ的第一端和第一NMOS的漏端连接；第二MTJ的第一端和第二NMOS的漏端连接；第一MTJ的第二端和第二MTJ的第二端连接；第一NMOS的源端和第二NMOS的源端连接；第一MTJ用于存储二进制权重“0”或“1”；第二MTJ用于存储二进制数“0”；第一NMOS的栅端用于连接二进制输入信号；第二NMOS的栅端用于连接二进制输入信号的相反信号。
主权项：1.一种二进制乘法运算电路，其特征在于，包括：第一MRAM位元和第二MRAM位元，所述第一MRAM位元包括第一MTJ和第一NMOS，所述第二MRAM位元包括第二MTJ和第二NMOS，其中，所述第一MTJ的第一端和所述第一NMOS的漏端连接；所述第二MTJ的第一端和所述第二NMOS的漏端连接；所述第一MTJ的第二端和所述第二MTJ的第二端连接；所述第一NMOS的源端和所述第二NMOS的源端连接；所述第一MTJ用于存储二进制权重“0”或“1”；所述第二MTJ用于存储二进制数“0”；所述第一NMOS的栅端用于连接二进制输入信号；所述第二NMOS的栅端用于连接所述二进制输入信号的相反信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 乘法运算电路、乘加运算电路及存内卷积运算电路
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