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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日：2022-11-17
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118054304A
主分类号：H01S5/22
分类号：H01S5/22
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明公开一种半导体激光器结构及其制备方法，包括外延片本体结构以及连接在该外延片本体结构表面上的脊形成层，该脊形成层包括交错且间隔分布的导电脊波导和耗损脊波导，且两者的侧壁均为向内凹陷的弧形结构；所述导电脊波导和耗损脊波导的上表面上均具有欧姆接触层，所述欧姆接触层的侧壁、导电脊波导的侧壁、耗损脊波导的侧壁上均覆盖弧形绝缘层，且该绝缘层经过粗糙化处理；所述耗损脊波导的欧姆接触层上表面覆盖绝缘层，所述导电脊波导和耗损脊波导之间的外延片本体结构的上表面覆盖绝缘层。本发明通过增大脊波导侧壁处绝缘层的体积和粗糙度，有效改善了半导体激光器的热透镜效应和提高了单模激射的稳定性，从而提升了光束质量。
主权项：1.一种半导体激光器结构，其特征在于，包括：外延片本体结构以及连接在该外延片本体结构表面上的脊形成层，该脊形成层包括交错且间隔分布的导电脊波导和耗损脊波导，且两者的侧壁均为向内凹陷的弧形结构；所述导电脊波导和耗损脊波导的上表面上均具有欧姆接触层，所述欧姆接触层的侧壁、导电脊波导的侧壁、耗损脊波导的侧壁上均覆盖弧形的绝缘层，且该弧形的绝缘层的外表面经过粗糙化处理形成粗糙化绝缘层；所述耗损脊波导的欧姆接触层上表面覆盖绝缘层，所述导电脊波导和耗损脊波导之间的外延片本体结构的上表面覆盖绝缘层；所述绝缘层、粗糙化绝缘层、导电脊波导上的欧姆接触层上覆盖有P面电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种半导体激光器结构及其制备方法
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