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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-11-17
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053853A
主分类号：H01L23/544
分类号：H01L23/544;H01L27/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：一种版图效应测试结构、版图效应测试芯片及测试方法。所述版图效应测试结构包括：所述版图效应测试结构包括：至少一个版图单元阵列，所述版图单元阵列包括：待测器件版图单元；以及若干个填充版图单元；所述若干个填充版图单元围绕所述待测器件版图单元分布；其中，所述待测器件版图单元包括：第一PMOS管及第一NMOS管；所述第一PMOS管及第一NMOS管的电性连接，与待测器件的需求相匹配；所述待测器件版图单元的版图结构及所述若干个填充版图单元的版图结构，均为标准单元的版图结构。采用上述方案，可以提高LDE测试效率。
主权项：1.一种版图效应测试结构，其特征在于，包括：至少一个版图单元阵列，所述版图单元阵列包括：待测器件版图单元；以及若干个填充版图单元；所述若干个填充版图单元围绕所述待测器件版图单元分布；其中，所述待测器件版图单元包括：第一PMOS管及第一NMOS管；所述第一PMOS管及第一NMOS管的电性连接，与待测器件的需求相匹配；所述待测器件版图单元的版图结构及所述若干个填充版图单元的版图结构，均为标准单元的版图结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 版图效应测试结构、版图效应测试芯片及测试方法
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