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【发明公布】半导体装置及操作半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202310626980.5 

申请/专利权人:爱思开海力士有限公司

申请日:2023-05-30

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN118053472A

主分类号:G11C16/04

分类号:G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/30;G11C16/34

优先权:["20221116 KR 10-2022-0153382"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要:本文提供半导体装置及操作半导体装置的方法。该半导体装置可以包括:第一存储器单元串组至第n存储器单元串组,每个包括多个存储器单元串;外围电路,其被配置为顺序地执行对第一存储器单元串组至第n存储器单元串组的编程操作,每个编程操作包括多个编程循环;以及编程操作控制器,其被配置为控制外围电路,以在多个编程循环中的任意一个中,向公共源极线施加预充电电压并且向联接至第一存储器单元串组至第n存储器单元串组的多条源极选择线当中的一条或更多条施加导通电压,其中要被施加导通电压的一条或更多条源极选择线的数量是基于与一个编程循环相对应的编程循环计数而确定的。

主权项:1.一种半导体装置,所述半导体装置包括:第一存储器单元串组至第n存储器单元串组,每个存储器单元串组包括多个存储器单元串,其中n为等于或大于3的自然数;外围电路,所述外围电路对所述第一存储器单元串组至所述第n存储器单元串组顺序地执行编程操作,每个编程操作包括多个编程循环;以及编程操作控制器,所述编程操作控制器控制所述外围电路,以在所述多个编程循环中的任意一个编程循环中,向公共源极线施加预充电电压并且向分别联接至所述第一存储器单元串组至所述第n存储器单元串组的多条源极选择线当中的一条或更多条源极选择线施加导通电压,其中,要被施加所述导通电压的一条或更多条源极选择线的数量是基于与所述一个编程循环相对应的编程循环计数而确定的。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 爱思开海力士有限公司 半导体装置及操作半导体装置的方法

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