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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-09-08
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053845A
主分类号：H01L23/528
分类号：H01L23/528
优先权：["20221117 KR 10-2022-0154700"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，其包括在第一横向方向上隔着接触空间彼此分开的第一鳍部分和第二鳍部分；第一源极漏极区域，其在鳍型有源区域上位于在竖直方向上与接触空间重叠的位置处；栅极线，其在第一鳍部分上；器件隔离膜，其覆盖第一鳍部分和第二鳍部分中的每一个的两个侧壁并且限定接触空间的宽度；背面源极漏极接触件，其电连接到第一源极漏极区域，填充接触空间，并且具有面向第一鳍部分和第二鳍部分和器件隔离膜中的每一个的侧壁；以及蚀刻停止层，其在第一鳍部分和栅极线之间接触第一鳍部分和第二鳍部分中的每一个的顶表面。
主权项：1.一种集成电路器件，包括：鳍型有源区域，其包括在第一横向方向上隔着接触空间彼此分开的第一鳍部分和第二鳍部分，所述第一鳍部分和所述第二鳍部分各自在所述第一横向方向上以直线纵长地延伸；第一源极漏极区域，其在所述鳍型有源区域上位于在竖直方向上与所述接触空间重叠的位置处；在所述第一鳍部分上的栅极线，所述栅极线在第二横向方向上纵长地延伸，所述第二横向方向垂直于所述第一横向方向；器件隔离膜，其在所述第二横向方向上覆盖所述第一鳍部分和所述第二鳍部分中的每一个的两个侧壁，所述器件隔离膜限定所述接触空间在所述第二横向方向上的宽度；背面源极漏极接触件，其被配置为电连接到所述第一源极漏极区域并填充所述接触空间，所述背面源极漏极接触件具有面向所述第一鳍部分、所述第二鳍部分和所述器件隔离膜中的每一个的侧壁；以及蚀刻停止层，其与所述第一鳍部分和所述第二鳍部分中的每一个的顶表面接触，所述蚀刻停止层介于所述第一鳍部分和所述栅极线之间。
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