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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日：2024-01-24
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053756A
主分类号：H01L21/335
分类号：H01L21/335;H01L29/06;H01L29/778;C30B29/38
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了高电子迁移率晶体管材料的制备方法、材料和晶体管，该方法包括：将衬底放入反应室，清洗衬底；在清洗完成后的衬底上依次生长AlN成核层、AlGaN缓冲层和GaN沟道层；其中，氨气作为N源；在GaN沟道层生长完成后，将反应室内的氨气量增加到第一预设区间内，之后调节反应室内的温度和气压达到AlN势垒层的生长条件时，再将反应室内的氨气量减小到第二预设区间，生长AlN势垒层；在AlN势垒层生长完成后，在AlN势垒层的上方生长保护层。本申请能够得到性能更强，稳定性更好，陷阱效应更少的高电子迁移率晶体管材料。
主权项：1.一种高电子迁移率晶体管材料的制备方法，其特征在于，包括：将衬底放入反应室，清洗所述衬底；在清洗完成后的衬底上依次生长AlN成核层、AlGaN缓冲层和GaN沟道层；其中，氨气作为N源；在所述GaN沟道层生长完成后，将所述反应室内的氨气量增加到第一预设区间内，之后调节所述反应室内的温度和气压达到AlN势垒层的生长条件时，再将所述反应室内的氨气量减小到第二预设区间，生长AlN势垒层；在所述AlN势垒层生长完成后，在所述AlN势垒层的上方生长保护层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 高电子迁移率晶体管材料制备方法、材料和晶体管
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