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申请/专利权人：昆明理工大学
申请日：2024-02-21
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118054026A
主分类号：H01M4/88
分类号：H01M4/88;H01M8/1011;B82Y30/00;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明涉及一种rGOCFP负载高指数晶面Pt凹面纳米晶一体化电极的制备方法及其应用。实施例公开的制备方法包括以下步骤：将还原氧化石墨烯rGO分散附着在碳纸CFP表面，得到rGOCFP载体；将rGOCFP载体作为工作电极，置于含有铂前驱体的酸性电解液中先后进行恒电位沉积和方波脉冲沉积，以在rGOCFP载体上沉积负载高指数晶面Pt凹面纳米晶。本发明所制备的一体化电极不仅具有良好的三电极体系MOR催化性能，而且具有优异的DMFC催化甲醇氧化活性。
主权项：1.一种rGOCFP负载高指数晶面Pt凹面纳米晶一体化电极的制备方法，包括如下步骤：S1，将还原氧化石墨烯rGO分散附着在碳纸CFP表面，得到rGOCFP载体；S2，将所述rGOCFP载体作为工作电极，置于含有铂前驱体的酸性电解液中先后进行恒电位沉积和方波脉冲沉积，以在所述rGOCFP载体上沉积负载高指数晶面Pt凹面纳米晶；其中，所述恒电位沉积的电位为-0.6～-0.8V，时间为0.01～0.05s；所述方波脉冲沉积的高电位为0.6～1.0V，低电位为-0.4～-0.6V，频率为5～15Hz，时间为15～25min。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明理工大学 rGO/CFP负载高指数晶面Pt凹面纳米晶一体化电极的制备方法及其应用
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