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申请/专利权人：上海赛丽微电子有限公司
申请日：2024-02-22
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053920A
主分类号：H01L31/0232
分类号：H01L31/0232;H01L31/09
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供了一种光电探测器包括下包层、以及设置于所述下包层的顶面且沿光的传播方向顺次连接的信号光输入波导、多模干涉波导、硅平板波导；硅平板波导包括第一硅平板波导部和2个第二硅平板波导部，2个第二硅平板波导部与第一硅平板波导部平行设置且沿硅平板波导的宽度方向分设于第一硅平板波导部的两侧，第一硅平板波导部的厚度大于第二硅平板波导部的厚度；第一硅平板波导部的顶面设置有吸收区，以用于吸收第一硅平板波导部的镜像光以产生光电流；第二硅平板波导部的顶面设置有接触金属部，以导出光电流。本发明降低了工艺加工难度，而且能达到最大耦合效率，从而实现光电探测器的高响应度。
主权项：1.一种光电探测器，其特征在于，包括：下包层；信号光输入波导，设置于所述下包层的顶面，所述信号光输入波导用于将模斑较小的单模波导转换为模斑较大的单模波导；多模干涉波导，设置于所述下包层的顶面且与所述信号光输入波导连接，所述多模干涉波导用于将于所述多模干涉波导输入端的入射光通过自映像原理于所述多模干涉波导输出端产生所述入射光的镜像光；硅平板波导，设置于所述下包层的顶面且与所述多模干涉波导连接，所述硅平板波导用于传输所述镜像光，且所述硅平板波导包括第一硅平板波导部和2个第二硅平板波导部，所述第一硅平板波导部沿长度方向的中心线与所述多模干涉波导沿长度方向的中心线重合，2个所述第二硅平板波导部与所述第一硅平板波导部平行设置且沿所述硅平板波导的宽度方向分设于所述第一硅平板波导部的两侧，所述第一硅平板波导部的厚度大于所述第二硅平板波导部的厚度；吸收区，设置于所述第一硅平板波导部的顶面，所述吸收区用于吸收所述第一硅平板波导部的所述镜像光以产生光电流；接触金属部，设置于所述第二硅平板波导部的顶面，所述接触金属部用于导出所述光电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海赛丽微电子有限公司 光电探测器
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