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申请/专利权人：北京工业大学
申请日：2024-02-29
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118050612A
主分类号：G01R31/26
分类号：G01R31/26;G01R19/00;G01R15/20
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明公开了基于浪涌电流下的碳化硅MOSFET瞬态温升测量方法，首先在不同测试电流下建立校温曲线库，该校温曲线库数据包含碳化硅MOSFET体二极管的浪涌电流、电压以及温度；其次，基于浪涌电流测试平台，在不同的浪涌电流脉宽及幅值下，测得多个温度敏感电参数；最后，计算测得温敏电参数代入校温曲线对应的温度值，即可在不破坏封装的情况下判别碳化硅MOSFET的温度情况。避免了在实际工程中不能实时检测碳化硅MOSFET瞬态温升导致可靠性降低的问题。
主权项：1.基于浪涌电流下的碳化硅MOSFET瞬态温升测量方法，其适用条件包括：1给定了栅压的范围在负栅压区间；2给定测试电流的选取范围；3给定脉冲宽度的选取标准；碳化硅MOSFET评测浪涌过程温度分布，所述测试方法条件包括以下步骤：步骤一：使用参数测试仪的单脉冲模块，给碳化硅MOSFET施加不同峰值的测试电流，观察得到的电压Vsd与时间的单脉冲曲线，确定不会产生自升温的测试电流脉宽和峰值范围；步骤二：将碳化硅MOSFET放置在温箱中，改变温箱温度，使用参数测试仪分别测量80℃-200℃每20℃测量、相同测试电流情况下的Vsd，将测量得到的不同温度下的输出曲线进行去波动处理，即根据相同电流下温度与电压的线性关系对电压的值进行校准，并推导出比200℃更高温度下的电压值，将去除波动后和外推高温处的输出曲线作为校温曲线库使用；步骤三：将步骤二的校温曲线库，以及各个温度下用参数测试仪单脉冲模块测量的80A、100A两个单脉冲点的值进行多项式拟合，可以得到100A以上大电流部分的校温曲线库；步骤四：使用浪涌发生仪器给碳化硅MOSFET施加浪涌电信号，让器件正常工作，测试时间结束后，快速切换至测试状态；在给定测试电流时间和峰值条件下，测得Vsd，并基于校温曲线库获得温度值T；观察整个浪涌过程中的温度值T变化情况，以此保护碳化硅MOSFET在浪涌过程中不会被高温烧毁。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 基于浪涌电流下的碳化硅MOSFET瞬态温升测量方法
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