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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日：2022-11-10
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053473A
主分类号：G11C16/08
分类号：G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;G11C16/26
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请提供一种闪存芯片及基于闪存芯片的数据读取方法。该闪存芯片包括译码电路、第一存储阵列、第二存储阵列和信号比较放大器；所述第一存储阵列和所述第二存储阵列均包括多条字线、多组位线和多个存储单元，且每组位线中每条位线上设置有控制开关，所述控制开关处于常断状态；当所述欲读出数据的存储位置为所述第一存储阵列中的第一存储单元时，所述第一存储单元连接的第一位线上的控制开关闭合；当所述欲读出数据的存储位置为所述第二存储阵列中的第二存储单元时，所述第二存储单元连接的第二位线上的控制开关闭合。本申请提供可以解决如何提升大存储容量的闪存芯片的数据读取速度，以提升信息读取效率的问题。
主权项：1.一种闪存芯片，其特征在于，包括译码电路、第一存储阵列、第二存储阵列和信号比较放大器，所述译码电路用于译码外部输入的读信号后得到欲读出数据的存储位置；所述第一存储阵列和所述第二存储阵列均包括多条字线、多组位线和多个存储单元，且每组位线中每条位线上设置有控制开关，所述控制开关处于常断状态；当所述欲读出数据的存储位置为所述第一存储阵列中的第一存储单元时，所述第一存储单元连接的第一位线上的控制开关闭合，以使所述第一存储单元输出第一电流至所述信号比较放大器，所述信号比较放大器根据所述第一电流和第一参考电流输出逻辑信号，完成数据读取；所述第一参考电流由所述第二存储阵列输出；当所述欲读出数据的存储位置为所述第二存储阵列中的第二存储单元时，所述第二存储单元连接的第二位线上的控制开关闭合，以使所述第二存储单元输出第二电流至所述信号比较放大器，所述信号比较放大器根据所述第二电流和第二参考电流输出逻辑信号，完成数据读取；所述第二参考电流由所述第一存储阵列输出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 闪存芯片及基于闪存芯片的数据读取方法
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