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【发明公布】光刻图形矫正方法、装置和设备_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202211425716.7 

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日:2022-11-15

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN118050950A

主分类号:G03F1/36

分类号:G03F1/36;G06T7/13

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要:本申请实施例提供一种光刻图形矫正方法、装置和设备,所述方法包括:获取目标基准图像信息和测试图像信息,目标基准图像信息用于指示掩膜版的目标层上,基准光刻图像的测量图形以及对应的坐标,测试图像信息为基于所述掩膜版得到的测试光刻图形的测试图像信息,测试图像信息中的测试光刻图形的坐标与所述测量图形的坐标具有映射关系;基于目标基准图像信息和测试图像信息,得到对应所述测试光刻图形的轮廓信息,所述轮廓信息包括所述测试光刻图形的二维特征信息;根据所述测试光刻图形的轮廓信息构建矫正模型,利用所述矫正模型对掩膜版上的待矫正光刻图形进行矫正。这样,本申请实施例所提供的技术方案,可以提高矫正模型矫正光刻图形的精准度。

主权项:1.一种光刻图形矫正方法,其特征在于,包括:获取目标基准图像信息和测试图像信息,所述目标基准图像信息用于指示掩膜版的目标层上,基准光刻图像的测量图形以及对应的坐标,所述测试图像信息为基于所述掩膜版得到的测试光刻图形的测试图像信息,所述测试图像信息中的测试光刻图形的坐标与所述测量图形的坐标具有映射关系;基于所述目标基准图像信息和所述测试图像信息,得到对应所述测试光刻图形的轮廓信息,所述轮廓信息包括所述测试光刻图形的二维特征信息;根据所述测试光刻图形的轮廓信息构建矫正模型,利用所述矫正模型对掩膜版上的待矫正光刻图形进行矫正。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻图形矫正方法、装置和设备

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