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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2022-11-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118055619A
主分类号：H10B43/35
分类号：H10B43/35;H10B43/27;H10B80/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请提供一种半导体结构及其制作方法、存储器及存储器系统，该制作方法包括：在衬底上形成堆叠结构和存储沟道结构，存储沟道结构沿堆叠方向贯穿所述堆叠结构且延伸至衬底内形成延伸部，存储沟道结构包括存储功能层和沟道层；去除衬底，且暴露出延伸部，并在堆叠结构去除衬底的一侧形成牺牲层，牺牲层包裹暴露出的延伸部的一部分；去除未被包裹的延伸部中的存储功能层，且暴露出对应的沟道层；去除牺牲层，且暴露出延伸部中剩余的存储功能层；在堆叠结构去除牺牲层的一侧形成半导体层，半导体层包裹延伸部中暴露出的沟道层和存储功能层，从而能避免在移除存储功能层时，存储沟道结构发生局部坍塌或弯曲现象。
主权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成堆叠结构和存储沟道结构，所述堆叠结构包括交替设置的栅极结构和栅间隔层，所述存储沟道结构沿堆叠方向贯穿所述堆叠结构且延伸至所述衬底内形成延伸部，所述存储沟道结构包括存储功能层和沟道层；去除所述衬底，且暴露出所述延伸部；在所述堆叠结构去除所述衬底的一侧形成牺牲层，所述牺牲层包裹暴露出的所述延伸部的一部分；去除未被包裹的所述延伸部中的所述存储功能层，且暴露出对应的所述沟道层；去除所述牺牲层，且暴露出所述延伸部中剩余的所述存储功能层；在所述堆叠结构去除所述牺牲层的一侧形成半导体层，所述半导体层包裹所述延伸部中暴露出的所述沟道层和所述存储功能层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体结构及其制作方法、存储器及存储器系统
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