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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-11-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053830A
主分类号：H01L23/482
分类号：H01L23/482;H01L23/485;H01L21/60
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：一种晶圆、封装结构以及封装方法，晶圆包括键合区，所述键合区包括阵列排布的芯片区和位于芯片区之间的切割道区，所述晶圆包括：基底；介质层，位于所述基底上，所述介质层露出的表面为键合面；键合垫，位于所述介质层内且露出于所述键合面；所述切割道区的所述键合垫用于在实现晶圆之间的键合时，与另一晶圆的切割道区的键合垫相对设置并键合。本发明实施例提高晶圆之间键合的可靠性和封装良率。
主权项：1.一种晶圆，包括键合区，所述键合区包括阵列排布的芯片区和位于芯片区之间的切割道区，其特征在于，所述晶圆包括：基底；介质层，位于所述基底上，所述介质层露出的表面为键合面；键合垫，位于所述介质层内且露出于所述键合面；所述切割道区的所述键合垫用于在实现晶圆之间的键合时，与另一晶圆的切割道区的键合垫相对设置并键合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆、封装结构以及封装方法
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