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【发明公布】包括防护环形件的半导体器件_爱思开海力士有限公司_202311082876.0 

申请/专利权人:爱思开海力士有限公司

申请日:2023-08-25

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN118053813A

主分类号:H01L23/00

分类号:H01L23/00;H01L23/498;H01L23/538

优先权:["20221115 KR 10-2022-0152393"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要:本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括:半导体衬底;以及防护环形件。所述防护环形件包括多个导电图案和导电插塞。多个导电图案在第一方向上堆叠在半导体衬底之上而彼此间隔开。导电插塞设置在多个导电图案之中的两个相邻的导电图案之间。第一方向垂直于半导体衬底的顶表面。导电插塞包括多个长图案和多个短图案。

主权项:1.一种半导体器件,包括:半导体衬底;以及防护环形件,所述防护环形件包括多个导电图案和导电插塞,所述多个导电图案在第一方向上堆叠在所述半导体衬底之上而彼此间隔开,所述导电插塞设置在所述多个导电图案之中的两个相邻的导电图案之间,所述第一方向垂直于所述半导体衬底的顶表面,其中,所述导电插塞包括多个长图案和多个短图案,所述多个长图案在第二方向上延伸而彼此平行,并且在第三方向上彼此间隔开,所述多个短图案在所述第三方向上延伸、设置在所述多个长图案之中的两个相邻的长图案之间而连接所述两个相邻的长图案,并且在所述第二方向上彼此间隔开,所述第二方向与所述第三方向交叉,所述第二方向和所述第三方向平行于所述半导体衬底的所述顶表面,以及其中,一个内部绝缘层通过设置在所述两个相邻的长图案中的至少一个长图案中的开口部分连接到一个外部绝缘层和另一个内部绝缘层中的至少一者,所述一个内部绝缘层具有被所述两个相邻的长图案和所述多个短图案之中的两个相邻的短图案围绕的侧表面,所述外部绝缘层位于所述导电插塞的外侧。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 爱思开海力士有限公司 包括防护环形件的半导体器件

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