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申请/专利权人：意法半导体有限责任公司
申请日：2023-11-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053958A
主分类号：H01L33/20
分类号：H01L33/20;H01L33/02;H01L33/00;H01L31/0352;H01L31/18;B82Y40/00;B82Y10/00;B82Y15/00
优先权：["20221115 IT 102022000023526","20231107 US 18/504,034"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明涉及具有诱发缺陷的光发射器设备及制造光发射器设备的方法。一种光发射器设备，包括：固态材料的主体；以及主体中的P‑N结，其包括：阴极区域，具有N型导电性；阳极区域，具有P型导电性，与阴极区域直接接触地延伸并限定光发射表面；以及耗尽区域，在阳极区域和阴极区域之间的界面周围。光发射表面具有朝着耗尽区域延伸的至少一个压痕。耗尽区域具有与所述至少一个压痕对应的峰缺陷区域，该峰缺陷区域容纳晶格中的不规则性。包括点缺陷、线缺陷、体缺陷等的缺陷区域是作为由压痕仪或纳米压痕仪系统形成压痕的直接结果而生成的。在缺陷区域中生成颜色中心。
主权项：1.一种光发射器设备，包括：固态材料的主体；以及主体中的P-N结，包括：阴极区域，具有N型的导电性；阳极区域，具有P型的导电性，与阴极区域直接接触地延伸并限定光发射表面；以及耗尽区域，在阳极区域和阴极区域之间的界面周围，其中光发射表面具有朝着耗尽区域延伸的至少一个压痕，其中耗尽区域具有与所述至少一个压痕对应的峰缺陷区域，该峰缺陷区域容纳晶格中的不规则性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体有限责任公司 具有诱发缺陷的光发射器设备及制造光发射器设备的方法
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