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申请/专利权人：意法半导体(克洛尔2)公司
申请日：2023-11-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053808A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L23/48;H01L23/31
优先权：["20221115 FR 2211871","20231113 US 18/389,020"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本公开提供了电子器件的制造方法。第一晶圆包括第一半导体层和位于第一半导体层的第一表面侧上的第一金属接触件。第二晶圆包括第二半导体层和位于第二半导体层的第一表面侧上的第二金属接触件。将柄部接合到第二晶圆的与第二半导体层相对的表面上。然后去除第二半导体层以暴露第二金属接触件。然后在第一晶圆和第二晶圆之间执行接合，以将第一金属接触件电连接到第二金属接触件。
主权项：1.一种通过接合组装第一晶圆和第二晶圆的方法，包括以下步骤：a形成第一晶圆，所述第一晶圆包括第一半导体层和位于所述第一半导体层的第一表面侧上的第一金属接触件；b形成第二晶圆，所述第二晶圆包括第二半导体层、位于所述第二半导体层的第一表面上的非晶硅层或介电材料层、以及位于所述第二半导体层的所述第一表面上的第二金属接触件，其中所述第二金属接触件形成在所述非晶硅层或介电材料层中；c在步骤b之后，将柄部转移并接合到所述第二晶圆的与所述第二半导体层相对的表面上；d在步骤c之后，完全去除所述第二半导体层，以暴露所述第二金属接触件以及所述非晶硅层或介电材料层；以及e在步骤a和d之后，将所述第一晶圆和所述第二晶圆彼此接合以将所述第一金属接触件电连接到所述第二金属接触件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(克洛尔2)公司 电子器件的制造方法
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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