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申请/专利权人：深圳华大智造科技股份有限公司
申请日：2018-09-11
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118045644A
主分类号：B01L3/00
分类号：B01L3/00
优先权：["20170919 US 62/560,585","20180510 US 62/669,890"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：一种用于形成测序流通池的方法包括：提供覆盖有介电层的半导体晶片；并且在所述介电层上形成图案化层。所述图案化层具有差异表面，所述差异表面包括交替的第一表面区域和第二表面区域。所述方法还可以包括：将所述盖晶片附着于所述半导体晶片以形成复合晶片结构，所述复合晶片结构包括多个流通池。然后切割所述复合晶片结构以形成多个管芯。每个管芯包括流通池。所述测序流通池可以包括：入口和出口，在所述图案化层的一部分与所述盖晶片的一部分之间的流动通道。此外，所述方法可以包括对所述测序流通池进行功能化以产生差异表面。
主权项：1.一种用于形成具有差异表面的设备结构的方法，所述方法包括：在基板上形成具有交替的第一薄膜区和第二薄膜区的图案化表面层，其中所述第一薄膜区包括被所述第二薄膜区隔开的斑点或孔阵列；通过将所述表面层暴露于第一材料在第一薄膜区域上选择性地形成第一覆盖层；通过将所述表面层暴露于第二材料在第二薄膜区域上而不在第一薄膜区域上选择性地形成第二覆盖层；其中所述第一薄膜区域和所述第二薄膜区域限定具有第一表面区域被第二表面区域的区域隔开的交替区域阵列；其中所述第一覆盖层和所述第二覆盖层之一是疏水性的而所述第一覆盖层和所述第二覆盖层中的另一者是亲水性的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳华大智造科技股份有限公司 晶片级测序流通池制造
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