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申请/专利权人：上海鼎泰匠芯科技有限公司
申请日：2024-01-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053743A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L29/423
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅沟槽式金氧半场效晶体管中沟槽结构制备方法，应用于半导体制备领域，包括：提供图形化的外延基片预制件；在第一待填充沟槽结构中，制备第一预设高度的阻挡层，形成第二待填充沟槽结构；在第二待填充沟槽结构中第一区域的侧壁制备高介电常数侧墙；在制备高介电常数侧墙后，去除阻挡层，依次制备场氧化层侧墙、屏蔽电极、屏蔽氧化层、栅氧化层侧墙和栅极电极，完成屏蔽栅沟槽式金氧半场效晶体管中沟槽结构的制备。本发明在保留源极多晶硅顶部和沟槽底部的氧化层同时，将沟槽内的侧墙氧化层部分替换为高介电常数的绝缘电介质侧墙，能够增加源极多晶硅电荷耦合效果，增大器件的反向击穿电压，进而使电场分布更加均匀。
主权项：1.一种屏蔽栅沟槽式金氧半场效晶体管中沟槽结构制备方法，其特征在于，包括：提供图形化的外延基片预制件；所述图形化的外延基片预制件包括在衬底上表面生长的外延基片，以及在所述外延基片的上表面制备的掩膜层；所述掩膜层中设置有暴露出所述外延基片的开口，且在所述外延基片中对应所述开口设置有第一待填充沟槽结构；在所述第一待填充沟槽结构中，制备第一预设高度的阻挡层，形成第二待填充沟槽结构；在所述第二待填充沟槽结构中第一区域的侧壁制备高介电常数侧墙；所述第一区域为在所述阻挡层的上侧，选取第二预设高度的待填充沟槽结构形成的区域；所述第一预设高度与所述第二预设高度的和小于所述第一待填充沟槽结构的深度；在制备高介电常数侧墙后，去除所述阻挡层，依次制备场氧化层侧墙、屏蔽电极、屏蔽氧化层、栅氧化层侧墙和栅极电极，完成所述屏蔽栅沟槽式金氧半场效晶体管中沟槽结构的制备；所述场氧化层侧墙设置在所述高介电常数侧墙的下侧，所述栅氧化层侧墙设置在所述高介电常数侧墙的上侧；所述栅极电极的上表面低于所述外延基片的上表面，且所述高介电常数侧墙的上表面低于所述栅极电极的下表面，至少部分所述高介电常数侧墙与所述屏蔽电极接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海鼎泰匠芯科技有限公司 一种屏蔽栅沟槽式金氧半场效晶体管中沟槽结构制备方法
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