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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日：2024-01-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053738A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;C23C16/18;C23C16/455;C23C16/40;C23C16/56
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请提供一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片。该方法包括：利用MOCVD技术，将碳化硅衬底放入载气为第一载气、Ga源为第一Ga源、氧源为氧气的反应室，并升温至第一预设温度，进行第一预设时长的外延生长，以在碳化硅衬底的表面生成氧化镓缓冲层；对反应室抽真空并更换为氢气气氛，并升温至第二预设温度，对氧化镓缓冲层进行第二预设时长的原位退火；对反应室抽真空，并将反应室环境更换至载气为第二载气、Ga源为第二Ga源、氧源为氧气，进行第三预设时长的外延生长，以在氧化镓缓冲层的表面生成氧化镓外延层。本申请能够获得大尺寸高质量的碳化硅基氧化镓外延片，并提高外延片的散热性能。
主权项：1.一种氧化镓外延片制备方法，其特征在于，包括：利用MOCVD技术，将碳化硅衬底放入载气为第一预设流量的第一载气、Ga源为第二预设流量的第一Ga源、氧源为第三预设流量的氧气的反应室，并升温至第一预设温度，进行第一预设时长的外延生长，以在所述碳化硅衬底的表面生成氧化镓缓冲层；对反应室抽真空并更换为氢气气氛，并升温至第二预设温度，对所述氧化镓缓冲层进行第二预设时长的原位退火；对反应室抽真空，并将反应室环境更换至载气为第四预设流量的第二载气、Ga源为第五预设流量的第二Ga源、氧源为第六预设流量的氧气，进行第三预设时长的外延生长，以在所述氧化镓缓冲层的表面生成氧化镓外延层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片
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