申请/专利权人:烟台显华高分子材料有限公司;烟台京师材料基因组工程研究院
申请日:2024-02-23
公开(公告)日:2024-05-17
公开(公告)号:CN118048206A
主分类号:C11D1/72
分类号:C11D1/72;C11D3/33;C11D3/37;C11D3/28;C11D3/60
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要:本发明涉及一种用于半导体铜制程Cu‑CMP后清洗液及制备方法,属于半导体Cu‑CMP后清洗液技术领域,所述清洗液包括表面活性剂、缓蚀剂、螯合剂、弱碱有机物、润湿剂、消泡剂和水;所述表面活性剂为酸性的非离子型表面活性剂中的任意一种或几种组合;所述弱碱有机物为有机胺类碱中的任意一种或几种组合;所述清洗液的pH值为6.01‑8.11。所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚中的任意一种或两种组合;所述弱碱有机物为吡啶、咪唑、N‑甲基咪唑、烟酰胺、丁酰胺中的任意一种或几种组合。本发明清洗液能有效去除晶圆表面的颗粒以及有机残留物,同时能有效避免铜的腐蚀,保证Cu‑CMP后的良品率和可靠性。
主权项:1.一种用于半导体铜制程Cu-CMP后清洗液,其特征在于,所述清洗液包括表面活性剂、缓蚀剂、螯合剂、弱碱有机物、润湿剂、消泡剂和水;所述表面活性剂为酸性的非离子型表面活性剂中的任意一种或几种组合;所述弱碱有机物为有机胺类碱中的任意一种或几种组合;所述清洗液的pH值为6.01-8.11。
全文数据:
权利要求:
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