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申请/专利权人：鞍山可为自动化仪表有限公司
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118046261A
主分类号：B24B1/00
分类号：B24B1/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.07#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种圆形陶瓷片抛光方法及系统，本发明通过实时监测各种位姿数据，计算砂片的砂轮单个边缘抛光点距离被抛光的陶瓷片中心点实时半径以及砂片砂轮实时覆盖在单个被抛光的陶瓷片上的动态密度计算模型、砂轮对单个被抛光的陶瓷片的平均抛光深度；求解砂片在单个抛光周期内对下研磨盘上N个被抛光的陶瓷片抛光体积最大的最优实时行走路径和最优上研磨盘实时旋转角速度和最优下研磨盘实时旋转角速度求解模型，判断此时被抛光的陶瓷片粗糙度是否在抛光合格范围内，根据输出结果并控制圆形陶瓷片抛光设备。本发明通过构建单个抛光颗粒的正态分布，进而有效计算其动态密度和平均抛光深度，有效地提高了最优行走路径以及旋转角速度的控制准确度。
主权项：1.圆形陶瓷片抛光方法，所述方法采用整片砂片进行周期性的竖向进给竖向平面抛光，所述平面抛光过程中下研磨盘进行横向和纵向进给，同时下研磨盘进行圆周旋转，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：S1：实时监测上研磨盘下部设置的砂片的砂轮边缘抛光点在本体坐标系内实时坐标，砂片被带动切向进给抛光边缘点所在切线本体坐标系x轴的夹角，并实时监测所述上研磨盘实时旋转角速度、下研磨盘实时旋转角速度；S2：计算砂片的砂轮单个边缘抛光点xt,yt,zt距离被抛光的陶瓷片中心点实时半径rgt，并构建砂片砂轮实时覆盖在单个被抛光的陶瓷片上的动态密度ρt计算模型；S3：进一步计算砂轮对单个被抛光的陶瓷片的平均抛光深度S4：求解砂片在单个抛光周期T内对下研磨盘上N个被抛光的陶瓷片抛光体积Vs最大的最优实时行走路径S5：进一步构建最优上研磨盘实时旋转角速度和最优下研磨盘实时旋转角速度求解模型，判断此时被抛光的陶瓷片粗糙度Ra是否在抛光合格范围[Ra,min,Ra,max]内，Ra,min为抛光合格最低表面粗糙度阈值，Ra,max为抛光合格最高表面粗糙度阈值，若在，则输出结果并进行下一步；否则重复所述S1-S5步骤；S6：根据所述S4步骤以及S5步骤的求解结果分别控制所述上研磨盘相对于下研磨盘的实时相对运动行走路径以及上研磨盘和下研磨盘的实时旋转角速度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 鞍山可为自动化仪表有限公司 圆形陶瓷片抛光方法及系统
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