申请/专利权人:杭州电子科技大学
申请日:2024-04-03
公开(公告)日:2024-05-17
公开(公告)号:CN118055689A
主分类号:H10N70/00
分类号:H10N70/00;H10N70/20
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要:本发明涉及忆阻器制备技术领域,特别是涉及一种基于铁氧体陶瓷的忆阻器及其制备方法,包括以下步骤:S1在非导电衬底上沉积金属导电薄膜作为下电极;S2在S1制得的下电极上使用Gd离子掺杂的镍锌铁氧体陶瓷沉积纳米薄膜,作为阻变层;S3在S2制得的阻变层上沉积金属导电薄膜作为上电极,得到镍锌铁氧体。本发明采用上述技术方案,使用适量的Gd离子掺杂镍锌铁氧体,并将其作为阻变层材料制备忆阻器,增加了阻变层内部的晶格缺陷和空穴,使忆阻器的忆阻性能得到显著的改善与提高。
主权项:1.一种基于铁氧体陶瓷的忆阻器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1在非导电衬底上沉积金属导电薄膜作为下电极;S2在S1制得的下电极上使用Gd离子掺杂的镍锌铁氧体陶瓷沉积纳米薄膜,作为阻变层;S3在S2制得的阻变层上沉积金属导电薄膜作为上电极,得到镍锌铁氧体。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 杭州电子科技大学 一种基于铁氧体陶瓷的忆阻器及其制备方法
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