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申请/专利权人：株式会社爱发科
申请日：2022-08-04
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118056489A
主分类号：H10N70/20
分类号：H10N70/20;H01L21/363;H01L21/365;H01L29/06;H01L29/15;H10B63/10
优先权：["20211015 JP 2021-169702"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种制造效率优异的结晶化积层结构体的制造方法。本发明的特征在于包括：积层结构体形成步骤，于包括室温的小于100℃的温度下实施，且将积层结构体7形成于对结晶化时的Sb2Te3层5及GeTe层6赋予共通的晶轴的配向控制层4上，所述积层结构体7积层有厚度为2nm～10nm的Sb2Te3层5与厚度超过0nm且为4nm以下的GeTe层6，并且于GeTe层6中以0.05at％～10.0at％的含量包含微量添加元素S、Se；Sb2Te3层结晶化步骤，于100℃以上且小于170℃的第1结晶化温度下对积层结构体7进行加热并保持，使Sb2Te3层5结晶化；及GeTe层结晶化步骤，于170℃以上400℃以下的第2结晶化温度下对Sb2Te3层5已结晶化的积层结构体7进行加热并保持，使GeTe层6结晶化。
主权项：1.一种结晶化积层结构体的制造方法，其特征在于包括：积层结构体形成步骤，于包括室温的小于100℃的温度下实施，且将下述积层结构体形成于对结晶化时的所述Sb2Te3层及所述GeTe层赋予共通的晶轴的配向控制层上，所述积层结构体积层有以Sb2Te3为主成分且厚度为2nm～10nm的Sb2Te3层、与以GeTe为主成分且厚度超过0nm且为4nm以下的GeTe层，并且于所述GeTe层中以0.05at％～10.0at％的含量含有S及Se中的至少任一种微量添加元素；Sb2Te3层结晶化步骤，于100℃以上且小于170℃的第1结晶化温度下对所述积层结构体进行加热并保持，使所述Sb2Te3层结晶化；及GeTe层结晶化步骤，于170℃以上400℃以下的第2结晶化温度下对所述Sb2Te3层已结晶化的所述积层结构体进行加热并保持，使所述GeTe层结晶化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社爱发科 结晶化积层结构体的制造方法
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