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申请/专利权人：张江国家实验室;上海集成电路研发中心有限公司
申请日：2022-11-09
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118050848A
主分类号：G02B6/10
分类号：G02B6/10;B24B37/00;B24B37/11;B24B37/34;B24B57/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请涉及用于形成耦合结构的方法、耦合结构和光芯片。耦合结构具有第一区域以及邻接第一区域的第二区域。该方法包括：提供衬底和位于衬底上的器件层，器件层在第二区域中包括波导；在第二区域中形成有机材料层，有机材料层覆盖波导；形成硬掩模层，硬掩模层覆盖有机材料层以及位于第一区域的器件层；去除有机材料层和覆盖有机材料层的硬掩模层；对暴露的波导进行化学机械抛光，以将暴露的波导形成为具有逐渐变小的高度；以及去除位于第一区域的器件层上的硬掩模层。
主权项：1.一种用于形成耦合结构的方法，所述耦合结构具有第一区域以及邻接所述第一区域的第二区域，所述方法包括：提供衬底和位于所述衬底上的器件层，所述器件层在所述第二区域中包括波导；在所述第二区域中形成有机材料层，所述有机材料层覆盖所述波导；形成硬掩模层，所述硬掩模层覆盖所述有机材料层以及位于所述第一区域的器件层；去除所述有机材料层和覆盖所述有机材料层的硬掩模层；对暴露的波导进行化学机械抛光，以将所述暴露的波导形成为具有逐渐变小的高度；以及去除位于所述第一区域的器件层上的硬掩模层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 张江国家实验室;上海集成电路研发中心有限公司 用于形成耦合结构的方法、耦合结构和光芯片
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