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申请/专利权人：上海三思电子工程有限公司;上海三思科技发展有限公司;嘉善三思光电技术有限公司;浦江三思光电技术有限公司
申请日：2022-11-16
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053640A
主分类号：H01C17/22
分类号：H01C17/22;H01C17/30;H01C17/065;H01C1/084;H01C7/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：本发明公开一种薄膜型电阻及其制备方法，所述制备方法至少包括如下步骤：1依据薄膜型电阻预设电阻值，计算出电阻浆料所需面积，将所需面积的电阻浆料成型到散热基片上，烧结，得到含有薄膜电阻层的基片；2依据薄膜型电阻预设电阻值，计算出电极浆料所需面积，并将所需面积的电极浆料成型到所述含有薄膜电阻层的基片上，烧结，得到所述薄膜型电阻。本发明的制备方法步骤简单、成本低、能实现阻值的灵活调节，适合大规模产业化生产。
主权项：1.一种薄膜型电阻的制备方法，其特征在于，所述方法至少包括如下步骤：1依据薄膜型电阻预设电阻值，计算出电阻浆料所需面积，将所需面积的电阻浆料成型到散热基片上，烧结，得到含有电阻层的基片；2依据薄膜型电阻预设电阻值，计算出电极浆料所需面积，并将所需面积的电极浆料成型到所述含有电阻层的基片上，经烧结形成电极层，得到所述薄型膜电阻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海三思电子工程有限公司;上海三思科技发展有限公司;嘉善三思光电技术有限公司;浦江三思光电技术有限公司 一种薄膜型电阻及其制备方法
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