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申请/专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日：2023-11-03
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053842A
主分类号：H01L23/522
分类号：H01L23/522
优先权：["20221116 JP 2022-183257"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底；多层布线层，被形成在半导体衬底上；第一布线，被形成在多层布线层上并且被配置为被施加有第一电位；上电感器，被形成在多层布线层上并且被配置为被施加有不同于第一电位的第二电位；无机绝缘膜，被形成在多层布线层、第一布线和上电感器上；以及有机绝缘膜，被形成在无机绝缘膜上并且被设置为覆盖平面图中位于第一布线与上电感器之间的无机绝缘膜。这里，在第一布线与上电感器之间，暴露无机绝缘膜的上表面的一部分的开口部被形成在有机绝缘膜中。
主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；多层布线层，被形成在所述半导体衬底上；第一布线，被形成在所述多层布线层上，并且被配置为被施加有第一电位；电感器，被形成在所述多层布线层上，并且被配置为被施加有第二电位，所述第二电位不同于所述第一电位；无机绝缘膜，被形成在所述多层布线层、所述第一布线和所述电感器上；以及有机绝缘膜，被形成在所述无机绝缘膜上，并且被设置为覆盖在平面图中位于所述第一布线与所述电感器之间的所述无机绝缘膜，其中在所述第一布线与所述电感器之间，暴露所述无机绝缘膜的上表面的一部分的开口部被形成在所述有机绝缘膜中。
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