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申请/专利权人：富士电机株式会社
申请日：2023-09-25
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053898A
主分类号：H01L29/739
分类号：H01L29/739;H01L21/331;H01L29/78;H01L21/336
优先权：["20221115 JP 2022-182712"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。在半导体装置中，期望抑制故障。该半导体装置具备：有源部，其配置于上表面电极的下方；以及边缘终端结构部，其在俯视时配置于上表面电极与半导体基板的端边之间，有源部具有有源集电区，边缘终端结构部具有边缘集电区，有源集电区的载流子浓度的在深度方向上的积分值比边缘集电区的载流子浓度的在深度方向上的积分值大。有源集电区的深度方向上的上端位置与边缘集电区的深度方向上的上端位置可以不同。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面并具有第一导电型的漂移区，所述半导体装置具备：上表面电极，其配置于所述半导体基板的所述上表面的上方；有源部，其在所述半导体基板中，配置于所述上表面电极的下方；以及边缘终端结构部，其在所述半导体基板中，在俯视时配置于所述上表面电极与所述半导体基板的端边之间，所述有源部具有第二导电型的有源集电区，所述有源集电区在所述半导体基板中配置于所述下表面与所述漂移区之间，所述边缘终端结构部具有第二导电型的边缘集电区，所述边缘集电区在所述半导体基板中配置于所述下表面与所述漂移区之间，所述有源集电区的载流子浓度的在所述半导体基板的深度方向上的积分值比所述边缘集电区的载流子浓度的在所述深度方向上的积分值大，所述有源集电区的所述深度方向上的上端位置与所述边缘集电区的所述深度方向上的上端位置不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
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